EUV光刻技术。

据了解，1a nm DRAM 在内部的代号为“南极星”，工艺节点将在 15nm 左右。目前 SK 海力士 DRAM 营收主力为 1ynm 和 1znm 级，预计在今年下半年这两种制程产量将提高到 DRAM 总产量的 40%。此外，SK 海力士将继续推进 DRAM 的制造技术。

报道指出，“Canopus”将是 SK 海力士迄今面临的最关键项目之一，因为这是该公司首度应用 EUV 光刻技术生产 DRAM。不过一位消息人士指出:“当下最重要的问题是，SK 海力士能否通过使用 EUV 技术确保其产品的竞争力。”

根据此前报道，三星 3 月份宣布，已出货 100 万个基于第四代 10nm 级 EUV 工艺的 DDR4 DRAM 模块，并预计明年量产，同时该公司未来几代的 DRAM 产品将会全面导入 EUV 技术。而据悉，SK 海力士旗下该款 1a 级 DRAM 预计将在 2021 年推出，届时围绕 EUV 的芯片制造市场竞争将更加激烈。

据悉，EUV 技术相较传统的光刻技术减少了多重图形制作中的重复步骤，并提高了图案的分辨率，从而提高了性能、产量并缩短了开发时间。

然而，其昂贵的费用一直是制约其大规模普及的根本原因，据悉，第一代 EUV 设备价格高达 1.2 亿美元 / 台，除了如此高昂的设备投入之外，相关维护成本也十分巨大。即便如此，在技术就是王道的存储产业中，各厂商也将不遗余力追求更先进的工艺，确保自身的领先地位。