三星宣布计划扩大其在韩国 NAND 闪存生产能力，以增强该公司满足新兴技术需求的能力。

该工程于今年 5 月开始，将为 2021 年下半年大规模生产三星的尖端 NAND 存储器铺平道路。公司将投入 8 万亿韩元（约合人民币 464.8 亿元）在京畿道平泽工业园区投建尖端 NAND 内存生产线，新增的产能将有助于满足对 5G 手机和其他设备的需求。

三星电子继上月发布在该园区投建专司极紫外光（EUV）微影光刻技术的晶圆代工生产线计划后，再次发布投资计划。虽然三星方面未公开具体投资金额，但业界推测上述晶圆代工生产线和 NAND 闪存生产线的投资规模分别达 10 万亿韩元和 8 万亿韩元。

韩国 5 月份芯片出口较上年同期增长 7.1%，原因是在家办公的趋势和在线课程提振了对服务器和个人电脑的需求，而中国个人电脑制造商恢复了生产，也推高了芯片价格。

三星电子已着手 EUV 晶圆代工生产和 NAND 内存生产所需的洁净室建设，争取在明年下半年投产 5 纳米 EUV 芯片和 V-NAND 产品。届时，平泽工业园区将成为覆盖储存芯片和系统芯片的尖端半导体复合生产基地。

三星全球存储器销售与市场执行副总裁 Cheol Choi 表示：“这项新投资重申了我们在存储器技术领域保持领先地位的承诺，即使在不确定的时期也是如此。”“我们将继续以最优化的解决方案为市场服务，同时为整个 IT 行业和整体经济的增长做出贡献。”